功能描述：MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：76nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3950pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 38A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：ATPAK

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）

标准包装：3,000

ATP106-TL-H

ATP107-TL-H

ATP108-TL-H

ATP112-TL-H

ATP113-TL-H

ATP114-TL-H

ATP201-TL-H

ATP201-V-TL-H

ATP202-TL-H

ATP203-TL-H